Samsung Electronics und Broadcom haben eine Absichtserklärung zur Ausweitung ihrer strategischen Zusammenarbeit unterzeichnet. Die Partnerschaft soll die Bereiche Speichertechnologie und Halbleiterfertigung umfassen und den Ausbau der nächsten Generation von KI-Infrastruktur vorantreiben, teilte Samsung mit.
Nach Angaben des Unternehmens könnte das gemeinsame Vorhaben bis 2030 ein Volumen von mehr als 200 Milliarden US-Dollar erreichen. Damit unterstreichen beide Konzerne die langfristige Bedeutung der Zusammenarbeit.
Im Bereich Speichertechnologie wollen Samsung und Broadcom künftig eng bei der Lieferung leistungsfähiger Speicherlösungen zusammenarbeiten. Dazu zählen insbesondere High Bandwidth Memory (HBM)-Chips, die in den KI-Beschleunigern der nächsten Generation von Broadcom zum Einsatz kommen sollen.
Darüber hinaus wird die Kooperation auf die Halbleiterfertigung ausgeweitet. Broadcom plant, für verschiedene Produkte - darunter Lösungen für drahtlose Breitbandkommunikation - Samsungs moderne Fertigungstechnologien auf Basis des 2-Nanometer-Prozesses und kleinerer Strukturgrößen zu nutzen.
Teil der Vereinbarung ist zudem die Zusammenarbeit bei fortschrittlichen Packaging-Technologien auf Grundlage des 2-Nanometer-Prozesses. Dazu gehören 2.3D- und 2.5D-Integrationsverfahren, die leistungsfähigere und energieeffizientere KI- und Netzwerkchips ermöglichen sollen.
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